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德州儀器: 德州儀器宣布內存全整合和鎖相環技術 |
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作者：第三媒體
來源：www.TheThirdMedia.com
日期：2006-11-08
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[摘要]
德州儀器（TI）今天宣布了全球首款用于DDR3 registered dual in-line memory module(RDIMM)的全整合register和鎖相環（phase-locked loop，PLL）。TI表示這種芯片支持800到1066MT/s（每秒百萬次傳輸）的數據傳輸率。 |
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[正文]
德州儀器（TI）今天宣布了全球首款用于DDR3 registered dual in-line memory module(RDIMM)的全整合register和鎖相環（phase-locked loop，PLL）。TI表示這種芯片支持800到1066MT/s（每秒百萬次傳輸）的數據傳輸率。
這款芯片型號為SN74SSTE32882，采用130nm制程，176pin BGA封裝。DDR3內存芯片能以生產的更小，比如鎂光目前正在生產78nm DDR3內存樣品。TI表示，整合PLL后無需調整內存模組，這將簡化設計和電路板布局，“加速服務器和RDIMM廠商進入市場”。
DDR3是DDR2內存是天然繼承者，而TI的新技術承諾通過降低電壓（從DDR2的1.8v降低到DDR3的1.5v）減少功耗。首款DDR3產品的頻率預計為800MHz，功耗低于DDR2-800模組。2007年DDR3頻率將迅速提高到1066和1333MHz，并有望在2008或2009年達到1600MHz。
首個支持DDR3內存的平臺將是Intel的3系列芯片組，代號“Bearlake”，將于2007年Q2發布P35和G33兩款型號。高端型號X38將于明年Q3問世。鎂光官方表示計劃在明年Q2開始量產DDR3內存。
TI的SN74SSTE32882已經開始生產樣品，并將在2007年Q3全面投產。 (2006-11-08)
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