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[新聞圖片]三星閃存: 30nm級8Gb容量 三星OneNAND月底批量生產
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上一張 | [簡介] 據有關消息報道，三星電子宣布已經成功使用30nm級別工藝(30-39nm)制造出了8Gb容量的OneNAND混合式閃存芯片，目前三星現已開始出貨3xnm 8Gb OneNAND芯片的樣品，并計劃本月底開始批量生產。 三星的新款8Gb OneNAND芯片基于SLC NAND閃存技術，讀取速度最高可達70... |
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[新聞圖片]三星閃存: 30nm級8Gb容量 三星OneNAND月底批量生產 |
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