2005年2月25日,德國慕尼黑訊——英飛凌科技公司(FSENYSE:IFX)今天宣布推出世界上第一條采用雙晶片(dual-die)技術、存儲容量4GB、用于服務器的DDR2 registered DIMM 內存模塊樣品。這一舉措顯示了英飛凌在內存技術領域的領先地位。新模塊使用18顆2Gb的DDR2內存顆粒,該顆粒由兩片1Gb DDR2 SDRAM晶片堆疊實現。這種技術被稱為雙晶片技術,可以將內存顆粒容量增加一倍,而厚度僅增加0.1毫米。英飛凌的4GB DDR2 registered DIMM內存模塊厚4.1毫米,高30毫米,比同類產品的厚度減少約40%,優于電子設備工程聯合委員會(JEDEC)對堆疊解決方案的要求。這種更薄的內存模塊可以改善高端DDR2服務器系統內的氣流和散熱狀況,使每一服務器可以使用4條4GB的內存模塊,總存儲量達到16GB。
英飛凌的科學家們通過將兩片相同的晶片在一個球柵陣列封裝(BGA)內堆疊起來,從而實現了雙晶片技術。英飛凌首先掌握了批量生產高速DDR2雙晶片內存芯片的技術。為滿足生產要求,英飛凌在生產工藝方面采取了必要的措施,解決了散熱、電氣、密度、體積和能耗等因素相互影響的難題。常規的堆疊封裝技術只是將兩顆內存顆粒簡單地堆疊起來,與之相比,英飛凌的雙晶片技術可以使內存模塊的體積更小,而在電氣和散熱方面的性能更優。(新聞稿 偉達公共提供 2005-03-03)