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解剖Rambus DRAM內存（4） |
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作者：第三媒體
來源：www.TheThirdMedia.com
日期：2000-03-24
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[摘要]
前一講我們提到，RDRAM具有比SDRAM高得多的延遲，這嚴重削弱了RDRAM的性能。這一講我們將討論RDRAM的發熱問題。 6、哎喲，燙人的RDRAM RDRAM最大的實力之一就是它的高工作頻率了，但是這也同時產生... |
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[正文]
前一講我們提到，RDRAM具有比SDRAM高得多的延遲，這嚴重削弱了RDRAM的性能。這一講我們將討論RDRAM的發熱問題。
6、哎喲，燙人的RDRAM
RDRAM最大的實力之一就是它的高工作頻率了，但是這也同時產生了許多問題。RDRAM跑在越高的頻率上，RIMM與主板就必須具有越好的容差能力，也必須具有越短的信號路徑，以避免電磁干擾導致信號惡化。當然這對RDRAM系統成本產生了雙倍打擊。這些因素導致RDRAM系統設計變得非常復雜，Intel在I820芯片組上的失敗就證實了這一點。
RDRAM的高頻率產生了一個更大的問題：發熱驚人！單單一片RDRAM芯片就有數瓦的功耗，這使得RDRAM內存具有非常、非常大的發熱量，非常、非常快的熱聚集。事實上，如果這些熱不被迅速吸走得話，RDRAM內存條就可能快速燃燒起來，由此RDRAM內存常常使用金屬熱沉包裝，并建議使用風扇直吹以輔助散熱。可能許多朋友沒有見過RDRAM的這種金屬封裝的模樣，請參考下圖：
（Puma 3-25）
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