2005年11月28日，德國慕尼黑/美國加利福尼亞州圣何塞訊——全球領先的芯片產品供應商英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）今日宣布推出一款先進的硬盤驅動器讀取信道內核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產的集成電路。該產品由英飛凌和日立環球存儲技術有限公司共同開發，是適用于下一代硬盤驅動器的高集成控制器芯片開發過程中的一個里程碑。
“第一種采用90納米工藝技術的讀取信道內核產品的開發，使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產品，以滿足硬盤驅動器市場不斷增長的需求，”英飛凌管理董事會成員兼汽車與工業電子事業部負責人Peter Bauer指出，“我們對市場的承諾和立足點基于廣泛的專利組合（IP Portfolio），我們的專利組合包括低能耗和先進的片上系統（SOC）設計技術，以及對硬盤驅動器行業日益重要的技術，例如非易失性存儲器和安全芯片卡解決方案等等。”
英飛凌副總裁兼專用集成電路和設計解決方案事業部（ADS）總經理Sandro Cerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內核，使硬盤驅動器行業能夠滿足下一代產品要求，包括更高的數據率、更低的能耗和更小的晶片面積，從而能夠以更具競爭力的成本推出更高級的片上系統（SOC）解決方案。首例經過測試的內核芯片，鎖相環路(PLL)能夠達到3.6GHz的速度，而模擬前端信號通道可以實現高達2.7Gb/s的數據率。和采用130納米工藝的先進讀取信道相比，性能提高約50%。”
市場分析公司Gartner Dataquest于2005年8月發表的研究報告表明，在移動和臺式設置應用的推動下，全球硬盤驅動器產品市場規模預計將從2005年的33億美元增長到2009年的45億美元，增幅近30%。
“這種讀取信道技術的成功開發，進一步證明了日立存儲和英飛凌科技的創新能力和設計專長，”日立環球存儲技術有限公司高級董事兼明尼蘇達羅徹斯特（Rochester）設計中心主任Steven Smith指出，“英飛凌展示了其在芯片開發和集成方面的領先地位，我們對第一種采用90納米工藝制造的讀取信道產品的性能感到非常滿意。”
新一代讀取信道技術可以支持一些高級的功能，如垂直錄寫，并利用第二代反向并聯編碼技術來大幅提高存儲密度，實現更佳的信噪比（SNR）性能。
英飛凌的90納米讀取信道內核立足于一個通用架構，適用于所有硬盤驅動器細分市場（如企業級、臺式、移動和超低功耗應用等）。按照每個細分市場的特定目標參數進行定制化設計，能夠滿足不同硬盤驅動器平臺的要求。
目前英飛凌正在開發另一種讀取信道內核產品，用于電池供電設備，旨在實現極低的功耗。由于采用了能夠支持手機等便攜產品的英飛凌90納米工藝，這種產品還能實現超長的待機時間和更佳的泄漏電流表現。
英飛凌采用其90納米CMOS工藝制造的全新讀寫信道內核，在單一芯片上融合了高性能、低能耗和模擬器件支持能力，可以滿足不同應用的需要。英飛凌先進的工藝和設計體系，能夠讓設計商以經濟合算的方式對單一芯片上的混合信號和數字信號處理（DSP）進行針對性優化，從而滿足從高性能企業級服務器到低功耗便攜式消費電子產品等各種應用的需求。90納米CMOS工藝的主要優勢是，利用先進的節能概念，如有源井、時鐘門控（clock-gating）和帶有6-9層銅金屬化的微動開關等，將多個閾值電壓和多個最小閘極尺寸僅為70納米的閘極氧化層設備集成于單一芯片上。
英飛凌ADS事業部的新型硬盤驅動器控制器可以在全球各地多家芯片工廠生產，從而大大方便客戶的供應鏈管理和業務拓展，這對硬盤驅動器行業尤其有益。目前，英飛凌位于德國德累斯頓的工廠和臺灣聯華電子公司都已引進英飛凌的90納米生產工藝。
（新聞稿 偉達公關提供 2005-12-01）