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英特爾硬盤: 年底轉入34nm工藝 固態硬盤容量達320GB
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[新聞圖片]英特爾硬盤: 年底轉入34nm工藝 固態硬盤容量達320GB
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[簡介]
據有關消息報道,Intel的固態硬盤產品將在今年底全線轉入34nm生產工藝,容量也會最高提至320GB。2.5寸的X25-M MLC和1.8寸的X18-M MLC當前采用50nm NAND閃存芯片,容量有80/160GB兩種,年底則會提供80/160/320GB三種容量,且都是34nm產物。面向企業市場的X25-E也會升級到34...
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