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[新聞圖片]海力士: 高性能耗電低 SK海力士新推出超高速存儲器

[簡介]
據介紹，這款超高速存儲器采用TSV硅通孔技術(Through -Silicon-Via)。該技術是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通，來實現芯片之間互連，據稱速度是當今速度最快的DRAM（GDDR5）的4倍以上。（第三媒體 2013－12－31）...