（新聞稿 迪蘭恒進提供）現在市面上的閃盤很多，結構基本相同，這是否意味著它們的性能也相同呢？當然不是，閃盤作為軟盤一樣的移動存儲產品來說，也是一種消耗性產品，必然會在使用中不斷的損耗，直至損壞，而在這之前，可能就會出現丟失數據、可用容量較少等問題，甚至有可能造成很大的損失。大家都知道，閃盤的價格已經非常低廉，但我們用它來保存和傳輸的數據文件卻有可能是非常寶貴的，正所謂閃盤有價，數據無價，一個可靠性高，壽命長的閃盤才能真正用得放心。
閃盤的結構主要由外殼、PCB板、USB主控芯片和Flash存儲芯片四部分構成，其中外殼起到保護作用，PCB板及電路對性能影響不大，只有制作沒有失誤別無問題，主要性能都取決于USB主控芯片和Flash存儲芯片，以及它們的驅動程序（這里是指內定的操作方式）。
閃盤得名于閃存，而閃存的名稱主要就是因為其存儲介質是Flash Memory，其中主要有NAND（與非）和NOR（異或）兩種。我們如今用的閃盤大部分都是NAND型的，這種閃存以三星產量和良品率最高，因此被廣為采用。NAND型的單元排列是串行的，而NOR型則是并行的。在NAND型閃存中，存貯單元被分成頁，由頁組成塊。NAND型存貯單元的讀寫是以塊和頁為單位來進行的，類似于硬盤。任何Flash閃存的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除操作。NAND閃存執行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位（bit）都寫為0。所以我們就可以發現，為什么在拷貝文件時NAND型閃存往往比NOR型閃存快得多（特別小的文件除外）。
但是我們也要看到，NAND型閃存也有不如NOR型閃存的地方，最突出的就是穩定性和壽命。NOR型閃存理論擦寫次數約為10萬次，NAND型閃存理論擦寫次數約為100萬次，看起來NAND型閃存應該壽命長，但事實上剛好相反，因為實際使用中，NOR型閃存因為接口簡單，數據操作少，位交換操作少，因此可靠性高得多，極少出現壞區塊，所以一般用在可靠性要求高的地方，而且價格也高一些，相反的，NAND型閃存接口和操作均相對復雜得多，位交換操作也很多，關鍵性數據更是需要錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法來確保數據的完整性，因此出現問題的幾率要大得多，壞區塊也是不可避免的，而且由于壞區塊是隨機分布的，連糾錯也無法做到。
閃存和其它電子產品一樣，都是由大量的晶體管組成的，因此首先制造出來的時候，就像CPU頻率有高有低，液晶顯示器面板壞點有多有少一樣，壞區塊或多或少總是有的，而在日后的使用中還會不斷增多，直到多的沒法用為止，閃盤的壽命就取決于這一點。 
最新上市的艾蒙M-Disk時尚水晶系列閃盤，采用了艾蒙自行研發的最優秀的閃存控制芯片M-System 2400-G，具有獨家技術TrueFFS技術，在閃盤可靠性和壽命方面得到了重大突破。
TrueFFS是一種硬盤仿真技術，它針對上述問題對癥下藥，像硬盤工作一樣最合理的分配和使用每一個區塊，減少了區塊遷移和區塊過度使用（就像牧民過度放牧會導致草地荒蕪一樣，過度使用會導致閃盤提前報廢），讓閃盤更可靠、用的時間更長，這下子大家可以放心的使用這種閃盤，不必再為自己的數據提心吊膽了！
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（新聞稿 迪蘭恒進提供 2003－05－21）