雖然垂直記錄技術引發硬盤革命的呼聲非常高,但革命之路自然有很多條,富士通實驗室就一直在開發一種新的硬盤技術,以提高硬盤的存儲密度和穩定性。 富士通的工作之一是減小硬盤盤片潤滑層的厚度,而富士通宣稱這一系列新技術有望在2010年將硬盤的存儲密度提高到每平方英寸1Tb。
硬盤驅動器通常有四層:作為基礎的基層、記錄數據的磁性層、保護磁性層免遭侵蝕的保護層、減小讀寫頭和保護層之間摩擦力的潤滑層(當然磁頭并不與保護層實際接觸)。為了提高盤片的存儲密度,保護層必須盡可能的薄,驅動磁頭也需要盡可能地靠近盤片,而隨著保護層的變薄,潤滑層的重要性就更加凸現了,因為失去潤滑層的保護層將無法保持較低的溫度,磁性層也將遭到侵蝕并損壞。
在目前的技術下,潤滑層能做到2nm厚,讀寫磁頭在寫入操作的時候距離5nm厚的保護層則有10nm距離。由于保護層需要一定的空間來維持長期穩定的工作狀態,因此上述數字已經是目前技術的極限。富士通則宣稱其新技術可以減小潤滑層的高度,并將其與保護層“粘貼”在一起,從而將四層硬盤變為三層,讀寫磁頭也能進一步縮短與盤片層之間的距離,最終在提供穩定性的同時提高存儲更多的比特。
根據富士通提供的文件,他們的新技術是通過吸著基將潤滑分子“粘”在一起并減小其分子體積,從而將潤滑層的厚度減小70%之多,并使之與保護層牢牢相連;同時經過波長不到200nm的紫外線的輻射,潤滑層變得像特氟龍一樣可以有效吸收污染物和水份,從而保護整個硬盤。
(第三媒體 2006-04-11)