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金士剛內存: DDR與DDR2孰生?孰死?

上傳:金秋2008     來源:信息存儲服務     日期:2006-03-22

[摘要]  
   回顧歷史我們不難看出,Intel平臺的每一次重大升級換代,都對整個IT硬件行業產生劇烈的震動。Intel在2003開發者秋季論壇上公布了其未來DDR2內存的發展計劃。在論壇上Intel發言人對目前DDR2內存的發展情況以及未來的市場前景做了闡述。
 
[正文]    

   回顧歷史我們不難看出,Intel平臺的每一次重大升級換代,都對整個IT硬件行業產生劇烈的震動。Intel在2003開發者秋季論壇上公布了其未來DDR2內存的發展計劃。在論壇上Intel發言人對目前DDR2內存的發展情況以及未來的市場前景做了闡述。而隨著CPU前端總線帶寬的提高和高速局部總線的出現,內存帶寬成為系統越來越大的瓶頸。目前處于主流DDR技術已經發展到極至,受其架構的限制,DDR的速度已經很難再有所提升,因此各種新的內存解決方案應運而生。其中作為DDR的正式接班人的DDR2,從一開始推出后就在計算機行業受倍大家的關注。

   面對著市場的瞬息萬變,全球第一大內存新貴生產商KINGXCON(金士剛)有著獨到的見解,面對這一變革,當然早已胸有成竹。因而這次內存種類的更新換代,新興的內存力量KINGXCON(金士剛),特別是對于這樣專業的內存制造商,產品上不斷追求探索,在強有力的研發制造的支持下,精益求精,從而不斷的推出新產品。我們先來看一看金士剛DDR2內存的新技術

   DDR2和DDR基本傳輸方式一樣,在時鐘的上升和下降延同時進行數據傳輸。在同等核心頻率下,DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說,雖然DDR2和DDR一樣,都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸的基本方式,但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統命令數據的能力。也就是說,在同樣100MHz的工作頻率下,DDR的實際頻率為200MHz,而DDR2則可以達到400MHz。這就是DDR2和DDR內存技術標準最大的不同。

   這樣也就出現了另一個問題:在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中,后者的內存延時要慢于前者。舉例來說,DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲,而后者具有高一倍的帶寬。實際上,DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬,它們都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作頻率是200MHz,而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz,也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。

   DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在采用更低發熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標準DDR的400MHZ限制。

   DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上,當頻率更高時,它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容,這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式,FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性,為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。

   DDR2內存采用1.8V電壓,相對于DDR標準的2.5V,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量,這一點的變化是意義重大的。

   DDR2采用的新技術:

   除了以上所說的區別外,DDR2還引入了三項新的技術,它們是OCD、ODT和Post CAS。

   OCD(Off-Chip Driver):也就是所謂的離線驅動調整,DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性;通過控制電壓來提高信號品質。

   ODT:ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上,不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的,終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率,終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低;終結電阻高,則數據線的信噪比高,但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組,還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自已的特點內建合適的終結電阻,這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,還得到了最佳的信號品質,這是DDR不能比擬的。

   Post CAS:它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中,CAS信號(讀寫/命令)能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期,CAS命令可以在附加延遲(Additive Latency)后面保持有效。原來的tRCD(RAS到CAS和延遲)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中進行設置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期,因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。

   總的來說,DDR2采用了諸多的新技術,改善了DDR的諸多不足,雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足,但相信隨著技術的不斷提高和完善,這些問題終將得到解決。

   (新聞稿 2006-03-22)


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