三星今天宣布了全球首款采用40nm、high-k工藝生產的NAND閃存芯片,容量達32Gb。
三星表示,新的芯片可以用來制造64GB容量的SD卡或CF卡,足以存儲64小時的DVD分辨率電影(40部)或者1.6萬首MP3歌曲(1340小時)。
三星的這種芯片使用了一種名為“Charge Trap Flash(CTF)”的新架構技術。這種金屬單閘極架構不同于傳統的規雙閘極架構,可在20nm工藝下生產出256Gb容量的芯片,而后者最多只能在50nm工藝下實現16Gb。
NAND閃存目前廣泛應用于數碼相機、MP3播放器、USB記憶棒等,而且正隨著混合硬盤、固態磁盤、外置存儲設備等新概念進入PC領域。雖然容量上的弱勢限制了其大范圍普及,但三星表示,等到2010年左右,20nm工藝可將NAND閃存芯片的容量提升至128GB乃至256GB。
至于與NAND閃存分庭抗禮的NOR閃存,三星認為新的PRAM(相變隨即存取內存)有望取而代之。三星稱,PRAM比NOR在速度上快30倍,生產步驟上少20%,讀寫循環次數(壽命)也是后者的10倍,更具備“無限的”擴展潛力。三星已經成功制造出了面積僅有0.0467平方微米的PRAM芯片原型,預計2008年推出首款相關產品,容量512Mb。
根據iSuppli的數據,三星在今年第二季度占據了全球NAND閃存市場的46.2%。
(2006-09-12)