存儲器廠商 Infineon Technologies AG宣布：公司已向“PC行業開發”的合作者提供了第一批DDR3存儲器芯片。配有DDR3內存條的計算機會盡快爭取在2006年末期上市。
當前，Infineon可以提供800MHZ和1067MHZ DDR3存儲器芯片，額定電壓為1.5V。但公司希望DDR3的性能能夠達到1600MHZ的級別。這比今天DDR2的最高頻率要高出兩倍。
Infineon公司在一份聲明中說，“ Infineon與Nanya Technology Cooperation合作開發的第一代DDR3樣品，預計將在2006年下半年上市。”早期，公司曾表示DDR3的樣品會在2006年的末期上市。不過公司目前計劃，根據匹配平臺的效能，估計大量的產品生產要到2006年末了。
三星公司宣布：在明年二月中旬，將生產出世界上第一個512Mb的存儲器芯片。它將嚴格遵守下一代DDR3標準，并且運行頻率能達到1066MHZ。產品工作電壓為1.5V，數據傳輸速率將達到1066Mbps。三星公司還說，DDR3內存將采用80nm生產工藝。目前，公司一直采用90nm工藝進行DDR和DDR2 SDRAM產品的生產。
DDR2除了在微結構上比DDR存儲器擁有優勢外，DDR2還在多方面具有超越DDR的優勢，這包括：On-Die Termination(ODT)技術、4位預取、附加latency、增強寄存器等。而DDR3則比DDR2更勝一籌，它具有自驅動校準和數據同步能力。
市場調查公司iSuppli預計：DDR3 DRAM想作為主流產品，大量取代前輩DDR2恐怕要等到2008年，同年，DDR3的市場份額能占到55％的比例。IDC預計：估計第一批DDR3產品正式上市將在2006年，然而到2009年它的市場份額已能占到65％。（第三媒體 2005-06-18）