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[新聞圖片]三星閃存: 首家使用30nm新工藝 兩種新型NAND量產
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上一張 | [簡介] 據有關消息報道，三星電子宣布在全球范圍內首家使用30nm新工藝開始了兩種新型NAND閃存芯片的大規模量產，其一是3-bit MLC NAND，其二是異步DDR 32Gb MLC NAND。兩種新型閃存芯片的量產都始于11月底，并已陸續向大型OEM廠商供貨。相比于目前的2-bit規格，這種30nm 3-bit MLC NAND閃存... |
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[新聞圖片]三星閃存: 首家使用30nm新工藝 兩種新型NAND量產 |
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