據有關消息報道，三星電子宣布在全球范圍內首家使用30nm新工藝開始了兩種新型NAND閃存芯片的大規模量產，其一是3-bit MLC NAND，其二是異步DDR 32Gb MLC NAND。兩種新型閃存芯片的量產都始于11月底，并已陸續向大型OEM廠商供貨。相比于目前的2-bit規格，這種30nm 3-bit MLC NAND閃存芯片的數據存儲效率可提升50％，將大大提升MLC NAND閃存設備的容量，并有利于降低成本。三星表示，新閃存初期會結合其自家的3-bit NAND控制器，用來制造8GB MicroSD存儲卡，之后還會用于制造U盤。
30nm DDR MLC NAND閃存支持雙倍數據率傳輸，能大幅提高讀取性能，可用于對讀寫速度和存儲空間都有較高要求的設備，包括智能手機上的高級SD存儲卡、PC上的固態硬盤，以及便攜式媒體播放器(PMP)、MP3播放器、車載導航系統(CNS)等等。目前單倍數據率SDR MLC NAND的最高讀取速度只有40Mbps，新的DDR MLC NAND則提高了兩倍多，可達133Mbps。基于此，存儲卡的讀取速度可從平均17Mbps提升到60Mbps。
（第三媒體 2009-12-02）