據有關消息報道，臺積電公司宣布，于業內首家成功使用28nm工藝試制64Mbit SRAM，達成良品率驗證。更重要的是，臺積電此次分別在28nm高性能High-K金屬柵極（簡稱28HP），28nm低功耗High-K金屬柵極（28HPL）和28nm低功耗氮氧化硅（28LP）三種不同工藝上都實現了相同的良品率。臺積電同時宣布，將28HPL工藝列入公司的28nm技術藍圖。
按臺積電計劃，28HP制程將于明年一季度末開始試產，主打高性能，將應用于CPU、GPU、芯片組、FPGA、網絡、游戲機和移動計算等常規應用。低功耗28LP將于明年二季度末開始試產，有低成本和可快速上市的優勢，主要用于手機和各種移動應用。新增的28HPL工藝則強調在低功耗、低漏電的同時保證中高端性能，可用于手機、上網本、無線通訊、便攜式消費電子設備等，預計于明年第三季度末開始試產。
（第三媒體 2009-08-26）
