制造工藝的革新總是Intel的強項之一。為了進一步提高處理器性能、降低功耗、增加彈性，Intel計劃在2009年的32nm工藝中采用“3D晶體管(三門晶體管)”技術，據稱可將芯片的功耗降低35％之多。
Intel此前已經多次提高3D晶體管技術，而在夏威夷火奴魯魯的超大規模集成電路技術討論會上，Intel透露了更多技術細節，并首次公布了一些數據資料。
Intel研發副總裁Mike Mayberry表示，與目前的平面晶體管技術不同，3D晶體管技術使用了三個“門”(打開和關閉晶體管的開關)，而不是一個，新增的兩個門可以增加通過晶體管的電流，并減少泄漏。Mayberry稱，Intel已經采用65nm技術生產出了第一個3D晶體管，相比之下可提速45％，金屬氧化物半導體處于關閉狀態下的電流也減少50％，芯片的總體功耗可由此降低35％。
隨著晶體管數量每18-24個月翻一番，同時更多的芯片要不停地開啟和關閉，50％的電流減少無疑將為移動設備帶來福音，擁有更好的電池續航能力。
Mayberry還強調說，3D晶體管只是Intel研發中用于改進生產工藝的眾多新技術之一。
Intel表示，Intel已經接近在一顆芯片上整合10億個3D晶體管的程度，有望在2009年年底部署的32nm工藝上實現批量生產。如果效果能符合預期，Intel將在所有的半導體產品上推廣這一新技術。
（第三媒體 2006－06－13）