三星繼續在閃存開發方面獲得突破，今天該公司宣布了8Gb NAND閃存。這種高密度多位階細胞元（MLC）閃存采用60nm工藝，相比70nm產品在產能方面能提高25%。
這項最新的技術進步令三星可以向客戶提供8GB閃存解決方案，這種方案通過兩塊4GB封裝芯片垂直堆疊實現，而每塊芯片封裝內還有4塊垂直堆疊的8Gb核心。8Gb NAND閃存將在第三季開始上市。三星另外還計劃在moviNAND產品家族中采用這種8Gb NAND閃存以生產出用于手機的2GB閃存。三星于2006年4月宣布了這種3D封裝技術。
便攜媒體播放器PMP將很快采用閃存技術的這一最新進步。之前曾有傳言稱蘋果將推出一種采用8Gb NAND閃存的新款iPod Nano。
就在上個月，三星發布了2Gb 60nm OneNAND閃存。這種芯片的讀取速度達到108MB/s，寫入速度為17MB/s，預計將應用在混合硬盤和SSD硬盤中。
（2006－07－20）