（金士剛）創立于2000年初，公司致力于計算機存儲產品的專業制造及供應。其生產實力強大，原材料的選購上嚴格把關，堅持不僅采用頂尖的內存顆粒，產品的制造流程更是嚴格依據ISO9001國際標準化規范。制作工藝精益求精，每件產品更是經過100%嚴格測試，使產品具備高超頻，高兼容，高穩定特性。
面對內存種類的更新換代， KINGXCON（金士剛）特別是對于這樣專業的內存制造商，產品上不斷追求探索，在強有力的研發制造的支持下，精益求精，從而不斷的推出新產品。我們先來看一看金士剛DDR2內存的新技術：
DDR2-667 1GB
在時鐘的上升延和下降延同時進行數據傳輸。在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取能力。
在采用更低發熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升。
DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛應用的TSOP封裝形式，FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。
DDR2內存采用1.8V電壓，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量。
DDR2采用的新技術：
除了以上所說的區別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。
OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。
ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數據線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數據線的信號比和反射率，終結電阻小則數據線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數據線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。可以根據自已的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形
Post CAS：它是為了提高DDR II內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。
（新聞稿 2006-09-12）