八款新溝道MOSFET采用薄型、微小1.6mm×1.6mm封裝，
RDS(on)比其它同類封裝的解決方案降低60%
2005年2月2日——安森美半導體（ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN）推出八款新型N溝道和P溝道、低壓溝道MOSFET，進一步豐富了其業內領先的溝道技術器件系列。這些器件降低了漏極和源極之間的電阻（RDS(on)），整體電源電路效率比其它同類封裝的解決方案提高30%。
新器件為小信號、20伏（V）MOSFET，特別適用于-430毫安（mA）至-950 mA的應用，如功率負載開關、電源轉換器電路以及手機、數碼相機、PDA、尋呼機、媒體播放器和便攜式GPS系統中的電池管理等。這些新型的低壓MOSFET采用安森美半導體的溝道技術，增大了溝道長度和等效溝道密度。RDS(on)比目前同類封裝的MOSFET降低60％，可導通更大電流。
RDS（on）范圍比較
－安森美半導體溝道MOSFET: 150－900 mOhms
－其它同類MOSFET器件: 850－1600 mOhms
安森美半導體的溝道MOSFET有三種微小（1.6mm×1.6mm）薄型（0.6mm至1.0mm）封裝選擇，節約了寶貴的板空間。因MOSFET極易受到靜電放電（ESD）的損害，且封裝越小，受ESD損害的可能性越大，安森美半導體所以將齊納二極管集成至溝道MOSFET門，提供優異的ESD保護。總之，這些封裝、性能和集成度的改進進一步簡化整體板設計并騰出額外的板空間。
安森美半導體功率FET產品總經理David Garafano說:“安森美半導體溝道技術實現了業內最高的溝道密度并在既定的封裝面積下提供同等級最佳的通導電阻（RDS(on)）性能。把此溝道技術和我們公司的超小封裝技術結合，安森美半導體已經開發出一系列低壓MOSFET，能夠提供優異的RDS（on），降低功耗并提高電流導通。所以這些器件將整體電源電路效率提高30％，大大地幫助了我們的客戶改進其便攜式產品中的電池效率。”
器件
- NTA4151PT1，NTE4151PT1，NTZS3151PT1和NTZD3152PT1：用于達850 mA高端負載開關的P溝道MOSFET。提供單模式和雙模式。
- NTA4153NT1，NTE4153NT1 和NTZD3154NT1：用于高達915 mA低端負載開關的N溝道MOSFET。提供單模式和雙模式。
- NTZD3155CT1：互補N溝道和P溝道的組合，用于集成負載開關或小電流直流至直流轉換。
封裝和價格
每個器件有三種薄型的1.6mm×1.6mm封裝。六引腳高度0.6mm的SOT-563和三引腳高度0.8mm的 SC-89為扁平引腳封裝。三引腳高度1.0mm的SC-75為鷗翼式器件。扁平引腳封裝與業內標準的鷗翼式封裝相比，具有額外的熱性能，并使高度得到改進。
新器件每10,000件的批量單價在0.10美元至0.12美元之間。（新聞稿 博達公關提供 2005-02-02）